铣床X5032与铣床X52K的工作电压分为内核电压和I/O电压两种，通常CPU的核心电压小于等于I/O电压。其中铣床X5032与铣床X52K的内核电压的大小是根据CPU的生产工艺而定，一般制作工艺越小，内核工作电压越低；I/O电压一般都在1.6~5V。铣床X5032与铣床X52K的低电压能解决耗电过大和发热过高的问题。技术架制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展。铣床X5032与铣床X52K的密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。现在铣床X5032与铣床X52K主要的180nm、130nm、90nm、65nm、45纳米。intel已经于2010年发布32纳米的制造工艺的酷睿i3/酷睿i5/酷睿i7系列。并且铣床X5032与铣床X52K已有发布22nm与15nm产品的计划。而AMD则表示、自己的产品将会直接跳过32nm工艺（2010年第三季度生产少许32nm产品、如Orochi、Llano）于2011年中期初发布28nm的产品也称为复杂指令集，英文名是CISC，（Complex Instruction Set Computer的缩写）。铣床X5032与铣床X52K在CISC微处理器中，程序的各条指令是按顺序串行执行的，每条指令中的各个操作也是按顺序串行执行的。铣床X5032与铣床X52K顺序执行的优点是控制简单，但计算机各部分的利用率不高，执行速度慢。